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한국표면공학회 한국표면공학회 학술발표회 초록집 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 및 에너지.공학 신표면처리기술 국제 워크숍
발행연도
2009.5
수록면
264 - 265 (2page)

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2013

BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구
우종창 ,  최창억 ,  양우석 외 4명 전기전자재료학회논문지 2013.01 학술저널

2010

Cl2/BCl3/Ar 플라즈마에서 반응성 이온들에 의해 식각된 ZnO 박막 표면 연구
우종창 ,  김창일 전기전자재료학회논문지 2010.01 학술저널

2009

Cl₂/BCl₃/Ar 플라즈마에 의해 식각된 ZnO 박막 표면의 연구
우종창 ,  하태경 ,  위재형 외 4명 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2009.05 학술대회자료

2008

CH₄ 플라즈마에 따른 TiN 박막 표면의 식각특성 연구
우종창 ,  엄두승 ,  김관하 외 2명 한국표면공학회지 2008.10 학술저널

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본 연구에서 유도결합 플라즈마 식각 장치와 BCl₃/Ar/Cl₂ 가스 혼합비를 이용하여 ZnO 박막을 식각 하였을 때, 식각 된 ZnO 박막의 표면 반응에 관하여 관찰하였다. ZnO 박막의 식각 실험 조건은 RF 전력 700 W, 직류바이어스 전압 - 150 V, 공정 압력 15 mTorr로 고정하였고, Cl₂/(Cl₂+BCl₃+Ar) 가스 혼합비를 변경하면서 식각 실험을 수행하였다. Cl₂ 가스가 3 sccm 일 때, ZnO 박막의 식각속도는 53 ㎚/min으로 가장 높았으며, 이때 ZnO 박막에 대한 SiO₂의 선택비는 0.89 이었다. 식각 ... 전체 초록 보기

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