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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이재인 (성균관대학교 재료공학과) 금동화 (한국과학기술연구원 금속부) 유지범 (성균관대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제9권 제3호
발행연도
1999.1
수록면
257 - 262 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1999

MOCVD를 이용한 비평면구조 기판에서의 GaN 선택적 성장특성연구
이재인 ,  금동화 ,  유지범 한국재료학회지 1999.01 학술저널

1997

MOCVD법을 이용한 Sapphire(${Al}_{2}{O}_{2}$) 기판상의 GaN 선택적 성장특성 연구
이재인 ,  변동진 ,  금동화 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1997.01 학술대회자료

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MOCVD를 이용하여 $SiO_2$로 패턴된 GaN/sapphire 기판상에서 $NH_3$유량과 성장온도가 GaN 성장의 선택성과 성장 특성에 미치는 영향을 조사하였다. $NH_3$유량을 500~1300sccm, 성장온도를 $950~1060^{\circ}C$로 변화시켜 성장변수에 따른 영향을 주사전자현미경으로 관찰하였다.$NH_3$유량이 증가할수록 성장선택성이 향상되었으나 기판윈도우에서 성장되는 GaN 형상변화에는 큰 영향을 미치지 못하였다. 성장온도가 높을수록 GaN의 성장선택성이 향상됨이 관찰되었다. 패턴 모양을 원형, 선형, 방사선모양(선형 패턴을 30, $45^{\circ}$로 회전)으로 제작하여 GaN 성장을 수행한 후 관찰한 결과 {1101}으로 이루어진 Hexagonal 피라밋 형상과 마스크층 위로의 측면성장을 얻을 수 있었으며, 성장조건에 따른 <1100>와 <1210>의 방향으로의 측면성장속도의 차이를 관찰할 수 있었다.

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