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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
심현상 (수원대학교 전자재료공학과) 구본철 (수원대학교 전자재료공학과) 정연실 (수원대학교 전자재료공학과) 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제6호
발행연도
1998.1
수록면
499 - 504 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1998

코발트 폴리사이드 게이트전극 형성에 관한 연구
심현상 ,  구본철 ,  정연실 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널

1997

코발트 폴리사이드 게이트 전극 형성
심현상 ,  구본철 ,  배규식 한국재료학회 학술발표대회 1997.01 학술대회자료

초록· 키워드

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코발트 폴리사이드 게이트 전극을 형성할 때, 원주형(columnar)과 입자형(granular)다결정 Si 및 비정질 Si 기판위에 Co 단일막(Co monolayer)또는 Co/Ti 이중막(Co/Ti bilayer)을 사용하여 형성한 $CoSi_{2}$의 열정안정을 비교하여 기판의 결정성과 CoSi/ sub 2/ 형성방법이 열적안정성에 미치는 영향을 연구하였다.$ 900^{\circ}C$에서 600초까지 급속열처리하였을 때 , 기판을 비정질을 사용하거나 기판에 관계없이 Co/Ti 이중막을 사용하면 열적안정성이 향상되었다, 이는 평탄하고 깨끗한 기판 Si표면과 지연된 Co확산으로 인해,조성이 균일하고 계면이 평탄한 CoSi$_{2}$가 형성되었기 때문이다. $ CoSi_{2}$의 열적안정성에 가장 중요한 인자는 열처리 초기 처음 형성된 실리사이드의 조성 균일성과 기판과의 계면 평탄성이었다.

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