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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김선일 (한국과학기술원 재료공학과) 이희승 (한국과학기술원 재료공학과) 박종호 (한국과학기술원 재료공학과) 안병태 (한국과학기술원 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제1호
발행연도
2003.1
수록면
1 - 5 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

반응성 CVD를 이용한 다결정 실리콘 기판에서의 CoSi layer의 성장거동과 열적 안정성에 관한 연구
김선일 ,  이희승 ,  박종호 외 1명 한국재료학회지 2003.01 학술저널

2001

반응성 CVD를 이용한 다결정 실리콘 기판에서의 $CoSi_2$ layer의 성장거동과 열적 안정성에 관한 연구
김선일 ,  안병태 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Uniform polycrystalline $CoSi_2$layers have been grown in situ on a polycrystalline Si substrate at temperature near $625^{\circ}C$ by reactive chemical vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, Co(η$^{5}$ -C$_{5}$ H$_{5}$ )(CO)$_2$. The growth behavior and thermal stability of $CoSi_2$layer grown on polycrystalline Si substrates were investigated. The plate-like CoSi$_2$was initially formed with either (111), (220) or (311) interface on polycrystalline Si substrate. As deposition time was increasing, a uniform epitaxial $CoSi_2$layer was grown from the discrete $CoSi_2$plate, where the orientation of the$ CoSi_2$layer is same as the orientation of polycrystalline Si grain. The interface between $CoSi_2$layer and polycrystalline Si substrate was always (111) coherent. The growth of the uniform $CoSi_2$layer had a parabolic relationship with the deposition time. Therefore we confirmed that the growth of $CoSi_2$layer was controlled by diffusion of cobalt. The thermal stability of $CoSi_2$layer on small grain-sized polycrystalline Si substrate has been investigated using sheet resistance measurement at temperature from $600^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. The $CoSi_2$layer was degraded at $900^{\circ}C$. Inserting a TiN interlayer between polycrystalline Si and $_CoSi2$layers improved the thermal stability of $CoSi_2$layer up to $900^{\circ}C$ due to the suppression of the Co diffusion.
#Cobalt polycide #Reactive CVD #Thermal Stability #TiN interlayer

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