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자료유형
학술저널
저자정보
서광종 (도요하시기술과학대학교 전기전자공학과) 장호정 (단국대학교 공학대학 전자공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제15권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
271 - 274 (4page)

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We investigated the crystalline and electrical properties of ZnO thin films for transparent electrode as a function of the oxygen pressures during the deposition. The ZnO thin films were deposited on a flexible teflon substrates by the pulsed laser deposition. From the X-ray diffraction, ZnO films showed c axis oriented ZnO(0002) crystal structure. The FWHM (full width at half maximum) values decreased from $0.51^{\circ}\;to\;0.34^{\circ}$ as the oxygen pressure increased from 0.1 mTorr to 10.0 mTorr showing the improvement of crystallinity. The resistivity and hall mobility of ZnO film deposited at the oxgen pressure of 0.1 mTorr at $200^{\circ}C$ was about $5\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm\;and\;20cm^2/V{\cdot}s$, respectively. The optical transmittance of the ZnO films on flexible teflon substrate was found to be above $85\%$.
#transparent electrode #ZnO film #teflon flexible substrate #pulse laser deposition

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