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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.2
- 수록면
- 132 - 132 (1page)
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High selective etching process precision control is required in semiconductor devices. Perfluorocarbon compounds have intrinsic global warming issue. In this work, reactive ion etching process was conducted for SiO<sub>2</sub> and a-C in a dual frequency superimposed capacitively cou ... 전체 초록 보기
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