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- 저널정보
- 한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.17 No.4
- 발행연도
- 2017.10
- 수록면
- 178 - 180 (3page)
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R. Pengelly, S. Wood, J. Milligan, S. Sheppard, and W. Pribble, A review of GaN on SiC high electron-mobility power transistors and MMICs, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 60, no. 6, pp. 1764? 1783, 2012.
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C. Duperrier, M. Campovecchio, L. Roussel, M. Lajugie, and R. Quere, New design method of uniform and nonuniform distributed power amplifiers, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 49, no. 12, pp. 2494?2500, 2001.
C. Campbell, C. Lee, M. Kao, H. Tserng, P. Saunier, and T. Balisteri, A wideband power amplifier MMIC utilizing GaN on SiC HEMT technology, IEEE Journal of Solid- State Circuits, vol. 44, no.10, pp. 2640?2647, 2009.
J. Gassmann, P. Watson, L. Kehias, and G. Henry, Wideband, high-efficiency GaN power amplifiers utilizing a nonuniform distributed topology, in Proceedings of IEEE MTT-S International Microwave Symposium, Honolulu, HI, 2007, pp. 615?618.
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