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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.3
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 312 - 318 (7page)
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This paper presents a 2-6 GHz GaN HEMT power amplifier monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with bridged-T all-pass filters and output-reactance-compensation shorted stubs using the 0.25 mm GaN HEMT foundry process that is developed by WIN Semiconductors, Inc. The bridged-T filter is modified to mitigate the bandwidth degradation of impedance matching due to the inherent channel resistance of the transistor, and the shorted stub with a bypass capacitor minimizes the output reactance of the transistor to ease wideband load impedance matching for maximum output power. The fabricated power amplifier MMIC shows a flat linear gain of 20 dB or more, an average output power of 40.1 dBm and a power-added efficiency of 19-26 % in 2 to 6 GHz, which is very useful in applications such as communication jammers and electronic warfare systems.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. CIRCUIT DESIGN
III. FABRICATION AND MEASUREMENT
V. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - D. W. Runton / 2013 / History of GaN: high-power RF gallium nitride (GaN) from infancy to manufacturable process and beyond / IEEE Microwave Magazine 14 (3) : 82 ~ 93
[학술대회논문] - M. A. Gonzalez-Garrido / 2008 / 2-6 GHz GaN MMIC power amplifiers for electronic warfare applications / Proceedings of the 3rd EuMIC Conference : 83 ~ 86
[학술대회논문] - P. Dennler / 2013 / Novel semireactively-matched multistage broadband power amplifier architecture for monolithic ICs in GaN technology / 2013 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest : 1 ~ 4
[학술지(정기간행물)] - C. Campbell / 2009 / A wideband power amplifier MMIC utilizing GaN on SiC HEMT technology / IEEE J. Solid-State Circuits 44 (10) : 2640 ~ 2647
[학술지(정기간행물)] - Dong-Wook Kim / 2015 / An output matching technique for a GaN distributed power amplifier MMIC using tapered drain shunt capacitors / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 25 (9) : 603 ~ 605
[학술대회논문] - M. A. Gonzalez-Garrido / 2008 / 2-6 GHz GaN MMIC power amplifiers for electronic warfare applications / Proceedings of the 3rd EuMIC Conference : 83 ~ 86
[학술대회논문] - P. Dennler / 2013 / Novel semireactively-matched multistage broadband power amplifier architecture for monolithic ICs in GaN technology / 2013 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest : 1 ~ 4
[학술지(정기간행물)] - C. Campbell / 2009 / A wideband power amplifier MMIC utilizing GaN on SiC HEMT technology / IEEE J. Solid-State Circuits 44 (10) : 2640 ~ 2647
[학술지(정기간행물)] - Dong-Wook Kim / 2015 / An output matching technique for a GaN distributed power amplifier MMIC using tapered drain shunt capacitors / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 25 (9) : 603 ~ 605
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