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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 149 - 158 (10page)
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Ni barrier symmetry eff ect on the electromigration (EM) failure mechanism of Cu/Sn–Ag microbump were systematicallyinvestigated by studying the intermetallic compound (IMC) growth characteristics at 150 °C with a current densityof 1.5 × 10 5 A/cm 2 . In the symmetric Ni barrier structure, Cu diff usion to Sn–Ag solder was restricted by the Ni barrier atboth interfaces and the Ni 3 Sn 4 phase formed by the inter-diff usion between Ni and Sn atoms just after bonding, which wasgradually transformed to (Ni,Cu) 3 Sn 4 phase and later to (Cu,Ni) 6 Sn 5 during current stressing with relatively slow resistanceincrease with time. By the way, in the asymmetric structure, extensive Cu 6 Sn 5 phase grew by the inter-diff usion betweenCu and Sn atoms due to there is no Ni barrier at the upper interface, which was rapidly transformed into only Cu 6 Sn 5 andCu 3 Sn IMCs during electron downward fl ow, with relatively fast resistance increase with time. Therefore, the symmetricNi barrier structure is very eff ective in restricting extensive IMC reactions during EM of Cu-solder microbump structure.
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