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이 논문의 연구 히스토리 (3)
2023
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실리콘 웨이퍼 레이저 절단면의 패시베이션 연구를 진행하였다. 패시베이션은 용액을 이용한 습식공정과 플라즈마화학기상증착 (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)를 이용한 건식공정으로 진행하였다. Nafion 용액을 실리콘 웨이퍼 절단면에 딥코팅 (dip coating)한 결과 용액이 웨이퍼 중앙 쪽으로 침투하여 패시베이션 특성 증가가 잘 나타나지 않았다. 실리콘 웨이퍼의 절단면만 노출하여 PECVD로 SiNx 물질을 20 nm에서 60 nm까지 증착하여 패시베이션 한 결과 SiNx 박막의 두께가 증가함에 따라 절단면의 실리콘 댕글린본드 (dangling bond)와 수소 결합의 증가로 소수 캐리어 수명이 증가하는 것을 확인하였다. 절단면 부위만 패시베이션이 되는지 확인하기 위하여 소수 캐리어 수명을 매핑 (mapping)한 결과 50 nm SiNx 두께에서부터 절단면 부위에 소수 캐리어 수명이 급격하게 증가하는 것을 확인하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
REFERENCES
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