메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
You Jin Ji (Sungkyunkwan University) Ki Seok Kim (Sungkyunkwan University) Ki Hyun Kim (Sungkyunkwan University) Ji Young Byun (Sungkyunkwan University) Geun Young Yeom (Sungkyunkwan University)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.28 No.5
발행연도
2019.9
수록면
142 - 147 (6page)
DOI
10.5757/ASCT.2019.28.5.142

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

이 논문의 연구 히스토리 (2)

2021

Characteristics of Silicon Nitride Deposited by Very High Frequency (162 MHz) -Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition using Floating Multi Electrode
You Jin Ji ,  Ki Hyun Kim ,  Ji Eun Kang 외 7명 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2021.12 학술대회자료

2019

A Brief Review of Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Si₃N₄
You Jin Ji ,  Ki Seok Kim ,  Ki Hyun Kim 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2019.09 학술저널

초록· 키워드

오류제보하기
Silicon nitride (SiNx) thin films have attracted interest as an important material for use in next-generation devices such as a gate spacer in 3D fin field-effect transistors (finFETs), charge trap layers, etc. Many studies using the SiNx plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) method have been conducted, owing to its advantages over other SiNx deposition methods. In this review, the recent studies on PEALD of SiNx thin films are summarized, and the effects of some process parameters including plasma power, frequency, and process temperature on the material properties of SiNx are discussed. In addition, some properties of SiNx thin films such as conformality, wet etch rate, and others are reviewed.
#Silicon nitride(Si₃N₄) #Plasma enhanced atomic layer deposition(PEALD) #Process temperature #Step coverage #Wet etch rate

목차

ABSTRACT
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Process parameters
Ⅲ. Properties of SiNx
Ⅳ. Concluding remarks
References

참고문헌 (43)

참고문헌 신청
F. Koehler / 2014 / Phys. Status Solidi C 11:73 google schola D. H. Triyoso / 2012 / IEEE International Conference on IC Design & Technology :1~4 google schola D. H. Triyoso / 2013 / J. Solid State Sci. Technol 2:N222 google schola E. Vianello / 2011 / IEEE Trans. Electron Devices 58:2483 google schola H. S. Kim / 2018 / ACS Appl. Mater. Interfaces 10:44825 google schola

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

Characteristic analysis of HfO2 thin films deposited at low-temperature using direct plasma-enhanced atomic layer deposition
김경문 ,  윤순길 ,  정낙관 한국진공학회 학술발표회초록집 2020 .02

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001277586