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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.8
- 수록면
- 491 - 495 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.8.491
이용수
초록· 키워드
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2-(4-t-butylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1,3(PBD) 를 사용하여 산화물반도체와 전극간의 에너지장벽 및 전기저항을 낮추어 소자특성의 개선점을 연구하였다. 산화물반도체는 indium, zinc (IZO)를sol-gel 반응을 기반으로 스핀코팅으로 제작하였다. 또한 organic evaporator를 이용하여 전자수송층 역할을 하는 PBD를 IZO 산화물박막위에 증착하였다. 전자가 Al으로부터 IZO 층으로 이동할 때 높은 에너지준위차를 줄이고자 그사이에 PBD를 증착하여 전자의 주입속도를 높이고 정공의 이동속도를 조절하여 좀 더 효율적으로 채널형성에 도움을 줄 수 있도록 하였다.
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R. L. Hoffman / 2003 / ZnO-based transparent thin-film transistors / Applied Physics Letters 82(5):733~735
Minkyu Kim / 2007 / High mobility bottom gate InGaZnO thin film transistors with SiOx etch stopper / Applied Physics Letters 90(21):212114
Felix Jaehnike / 2015 / High-Quality Solution-Processed Silicon Oxide Gate Dielectric Applied on Indium Oxide Based Thin-Film Transistors / ACS Applied Materials & Interfaces 7(25):14011~14017
M. Ito / 2008 / Application of amorphous oxide TFT to electrophoretic display / Journal of Non-Crystalline Solids 354(19-25):2777~2782
Tatsuya Iwasaki / 2007 / Combinatorial approach to thin-film transistors using multicomponent semiconductor channels: An application to amorphous oxide semiconductors in In–Ga–Zn–O system / Applied Physics Letters 90(24):242114
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