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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.12
- 수록면
- 97 - 101 (5page)
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본 연구에서는 실험 설계법을 통해 인터포저에서 Through Silicon Via (TSV) 및 Redistributed Layer (RDL) 의 구조적 변형에 따른 삽입 손실 특성 변화를 확인하였다. 이때 3-요인으로 TSV depth, TSV diameter, RDL width를 선정하여, 구조적 변형을 일으켰을 때 400 MHz~20 GHz에서의 삽입 손실을 EM (Electromagnetic) tool Ansys HFSS(High Frequency Simulation Software)를 통해 확인하였다. 반응 표면법을 고려하였다. 그 결과 주파수가 높아질수록 RDL width 의 영향이 감소하고 TSV depth와 TSV diameter의 영향이 증가하는 것을 확인했다. 또한 분석 범위 내에서 RDL width 를 증가시키면서 TSV depth를 감소시키고 TSV diameter를 약 10.7 μm 고정하는 것이 삽입 손실을 가장 최적화 시키는결과가 관찰되었다.
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H. Jun / 2017 / HBM ( High B and width M emory) D RAM Technology and Architecture / 2017 IEEE International Memory Workshop (IMW) :1~4
P. Holzinger / 2021 / Fast HBM Access with FPGAs: Analysis, Architectures, and Applications / 2021 IEEE International Parallel and Distributed Processing Symposium Workshops (IPDPSW) :152~159
2013 / JEDEC Standard High Bandwidth Memory (HBM) DRAM Specification JESD235 2013
V. S. Rao / 2019 / TSV interposer fabrication for 3D IC packaging / 2009 11th Electronics Packaging Technology Conference :431~437
J. H. Lau / 2011 / Overview and outlook of through‐silicon via (TSV)and 3D integrations / Microelectron. Int. 28(2):8~22
P. Holzinger / 2021 / Fast HBM Access with FPGAs: Analysis, Architectures, and Applications / 2021 IEEE International Parallel and Distributed Processing Symposium Workshops (IPDPSW) :152~159
2013 / JEDEC Standard High Bandwidth Memory (HBM) DRAM Specification JESD235 2013
V. S. Rao / 2019 / TSV interposer fabrication for 3D IC packaging / 2009 11th Electronics Packaging Technology Conference :431~437
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