메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Chunquan Li (Guilin University of Electronic Technology) Meng-Qiang Zou (Guilin University of Electronic Technology) Yuling Shang (Guilin University of Electronic Technology) Ming Zhang (Guilin University of Electronic Technology)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.3
발행연도
2015.6
수록면
356 - 364 (9page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
The transmission performance of TSV considering the effect of electronic-thermal coupling is an new challenge in three dimension integrated circuit. This paper presents the thermal equivalent circuit (TEC) model of the TSV, and discussed the thermal equivalent parameters for TSV. Si layer is equivalent to transmission line according to its thermal characteristic. Thermal transient response (TTR) of TSV considering electronic-thermal coupling effects are proposed, iteration flow electronic-thermal coupling for TSV is analyzed. Furthermore, the influences of TTR are investigated with the noncoupling and considering coupling for TSV. Finally, the relationship among temperature, thickness of SiO₂, radius of via and frequency of excitation source are addressed, which are verified by the simulation.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. MODELING OF TEC FOR TSV INTERCONNECT
Ⅲ. THERMAL TRANSIENT RESPONSE OF TSV CONSIDERING ELECTRONIC-THERMAL COUPLING EFFECTS
Ⅳ. SIMULATION AND DISCUSSIONS
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (27)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2016-569-001692985