Chemical Reaction on Etched TaNO Thin Film as O2 Content Varies in CF4/Ar Gas Mixing Plasma

우종창; 김창일

doi:https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.2.74

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자료유형: 학술저널

저자정보: 우종창 (대덕대학교) 김창일 (중앙대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제2호

발행연도: 2017.4

수록면: 74 - 77 (4page)

DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.2.74

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In this work, we investigated the etching characteristics of TaNO thin films and the selectivity of TaNO to SiO2 in anO2/CF4/Ar inductively coupled plasma (ICP) system. The maximum etch rate of TaNO thin film was 297.1 nm/minat a gas mixing ratio of O2/CF4/Ar (6:16:4 sccm). At the same time, the etch rate was measured as a function of theetching parameters, such as the RF power, DC-bias voltage, and process pressure. X-ray photoelectron spectroscopyanalysis showed the efficient destruction of the oxide bonds by the ion bombardment, as well as the accumulationof low volatile reaction products on the etched surface. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction wasproposed as the main etch mechanism for the CF4-containing plasmas.

#TaNO #ICP #XPS

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Himel Chakraborty / 2013 / Effect of Space Charge Density and High Voltage Breakdown of Surface Modified Alumina Reinforced Epoxy Composites / Transactions on Electrical and Electronic Materials 14(3):121~124

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