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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제23권 제5호
- 발행연도
- 2022.10
- 수록면
- 569 - 577 (9page)
- DOI
- https://doi.org/10.1007/s42341-022-00408-6
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The etching characteristics of aluminum nitride (AlN) were investigated with the etch rate of AlN thin fi lm and the selectivity of AlN to SiO 2 in an inductively coupled Cl 2 /Ar plasma. The AlN etch rate was linearly increased with increasing bias power. However, the AlN etch rate appeared a non-monotonic behavior with an increasing Cl 2 ratio in the Cl 2 /Ar plasma and pressure. Since the AlN thin fi lms were of the relatively high melting point and binding energy, the high energetic positive ions were required to break Al-N bonds and to form volatile etch by-products, resulting in a high etch rate. The chemical condition on the surfaces of AlN thin fi lms was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy and the volatile etch byproducts were observed. As a result, AlN etching mechanisms have been suggested to be an ion-enhanced chemical etching.
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