Reduction of Contact Resistance Between Ni-InGaAs Alloy and In0.53Ga0.47As Using Te Interlayer

Meng Li; 신건호; 이희덕; 전동환; 오정우

doi:https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.5.253

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자료유형: 학술저널

저자정보: Meng Li (충남대학교) 신건호 (충남대학교) 이희덕 (충남대학교) 전동환 (한국나노기술원) 오정우 (연세대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제5호

발행연도: 2017.10

수록면: 253 - 256 (4page)

DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.5.253

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A thin Te interlayer was applied to a Ni/n-InGaAs contact to reduce the contact resistance between Ni-InGaAs and n-InGaAs. A 5-nm-thick Te layer was first deposited on a Si-doped n-type In0.53Ga0.47As layer, followed by in situ deposition of a 30-nmthickNi film. After the formation of the Ni-InGaAs alloy by rapid thermal annealing at 300°C for 30 s, the extracted specificcontact resistivity (ρc ) reduced by more than one order of magnitude from 2.86 × 10-4 Ω·cm2 to 8.98 × 10-6 Ω·cm2 than thatof the reference sample. A thinner Ni-InGaAs alloy layer with a better morphology was obtained by the introduction of theTe layer. The improved interface morphology and the graded Ni-InGaAs layer formed at the interface were believed to beresponsible for ρc reduction.

#Contact resistance #InGaAs #Ni-InGaAs #Te interlayer #n-MOSFETs

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D.J. Frank / 2001 / Device scaling limits of Si MOSFETs and their application dependencies / Proceedings of the IEEE 89(3):259~288

S. Oktyabrsky / 2010 / Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs / Springer Science+Business Media LLC :2

A. Dixit / 2005 / Analysis of the Parasitic S/D Resistance in Multiple-Gate FETs / IEEE Transactions on Electron Devices 52(6):1132~1140

J. A. del Alamo / 2011 / Nature 479:317

Xingui Zhang / 2011 / In[sub 0.7]Ga[sub 0.3]As Channel n-MOSFET with Self-Aligned Ni–InGaAs Source and Drain / Electrochemical and Solid-State Letters 14(2):H60

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