n-InGaAs MOSFETs을 위한 Pd 중간층을 이용한 Ni-InGaAs의 열 안정성 개선

이맹; 신건호; 이정찬; 오정우; 이희덕

doi:https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.3.141

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저자정보: 이맹 (충남대학교) 신건호 (충남대학교) 이정찬 (충남대학교) 오정우 (연세대학교) 이희덕 (충남대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제3호

발행연도: 2018.3

수록면: 141 - 145 (5page)

DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.3.141

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Ni-InGaAs shows promise as a self-aligned S/D (source/drain) alloy for n-InGaAs MOSFETs (metal-oxidesemiconductorfield-effect transistors). However, limited thermal stability and instability of the microstructural morphologyof Ni-InGaAs could limit the device performance. The in situ deposition of a Pd interlayer beneath the Ni layer wasproposed as a strategy to improve the thermal stability of Ni-InGaAs. The Ni-InGaAs alloy layer prepared with the Pdinterlayer showed better surface roughness and thermal stability after furnace annealing at 570℃ for 30 min, while theNi-InGaAs without the Pd interlayer showed degradation above 500℃. The Pd/Ni/TiN structure offers a promising route tothermally immune Ni-InGaAs with applications in future n-InGaAs MOSFET technologies.

#MOSFET #Ni-InGaAs #n-In0.53Ga0.47As #Pd interlayer #Thermal stability

참고문헌 (26)

참고문헌 신청

S. K. Oh / 2012 / J. Nanosci. Nanotechnol. 12:5347

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J. A. del Alamo / 2011 / Nature 479:317

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