Investigation on Contact Resistance of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors with Various Electrodes by Transmission Line Method

이상렬

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이상렬

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제16권 제3호

발행연도: 2015.1

수록면: 139 - 141 (3page)

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Contact resistance of interface between the channel layers and various S/D electrodes was investigated by transmission line method. Different electrodes such as Ti/Au, a-IZO, and multilayer of a-IGZO/Ag/a-IGZO were compared in terms of contact resistance, using the transmission line model. The a-IGZO TFTs with a-IGZO/Ag/a-IGZO of S/D electrodes showed good performance and low contact resistance due to the homo-junction with channel layer.

#Amorphous oxide semiconductor #Source and drain electrode #a-IGZO #Transparent conductive oxide

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Eugene Chong / 2010 / Role of silicon in silicon-indium-zinc-oxide thin-film transistor / Applied Physics Letters 97 (25) : 252112 ~

Jin-Seong Park / 2009 / Novel ZrInZnO Thin-film Transistor with Excellent Stability / Advanced Materials 21 (3) : 329 ~ 333

K. Nomura / 2003 / Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor / Science 300 (5623) : 1269 ~ 1272

Kenji Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / Nature 432 (7016) : 488 ~ 492

Kenji Nomura / 2008 / Subgap states in transparent amorphous oxide semiconductor, In?Ga?Zn?O, observed by bulk sensitive x-ray photoelectron spectroscopy / Applied Physics Le

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