Improvement on the Stability of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using Amorphous Oxide Multilayer Source/Drain Electrodes

Sang Yeol Lee

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자료유형: 학술저널

저자정보: Sang Yeol Lee

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제3호

발행연도: 2016.1

수록면: 143 - 145 (3page)

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In order to find suitable source and drain (S/D) electrodes for amorphous InGaZnO thin film transistors (a-IGZOTFTs), the specific contact resistance of interface between the channel layers and various S/D electrodes, such asTi/Au, a-IZO and multilayer of a-IGZO/Ag/a-IGZO, was investigated using the transmission line model. The a-IGZOTFTs with a-IGZO/Ag/a-IGZO of S/D electrodes had good performance and low contact resistance due to the homojunctionwith channel layer. The stability was measured with different electrodes by a positive bias stress test. Theresult shows the a-IGZO TFTs with a-IGZO/Ag/a-IGZO electrodes were more stable than other devices.

#Amorphous oxide semiconductor #Source and drain electrode #a-IGZO #Transparent conductive oxide

참고문헌 (14)

참고문헌 신청

Kenji Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / Nature 432(7016):488~492

K. Nomura / 2003 / Science 23:1269

Jin-Seong Park / 2009 / Novel ZrInZnO Thin-film Transistor with Excellent Stability / Advanced Materials 21(3):329~333

Eugene Chong / 2010 / Role of silicon in silicon-indium-zinc-oxide thin-film transistor / Applied Physics Letters 97(25):252112

Kwang-Hyuk Choi / 2011 / Highly Transparent and Conductive Al-Doped ZnO/Ag/Al-Doped ZnO Multilayer Source/Drain Electrodes for Transparent Oxide Thin Film Transistors / Electrochemical and Solid-State Letters 14(4):H152

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