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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
오 데레 (청주대학교 반도체공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제17권 제3호
발행연도
2018.1
수록면
17 - 20 (4page)

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IGZO thin films were prepared on n-type Si substrates to research the interface characteristics between IGZO and substrate. After the annealing processes, the depletion layer was formed at the interface to make a Schottky contact owing to the electron-hall fair recombination. The carrier density was decreased by the effect of depletion layer and the hall mobility decreased during the deposition processes. But the annealing effect of depletion layer increased the hall mobility because of the increment of potential barrier and the extension of depletion layer. It was confirmed that it is useful to observe the depletion effect and Schottky contact's properties by complementary using the Hall measurement and I-V measurement.
#Hall measurement #IGZO #Depletion layer #Recombination

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