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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제39권 제5호
발행연도
2006.10
수록면
206 - 209 (4page)

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Indium tin oxide (ITO) films were synthesized on polymer (PES, polyethersulfone) at room temperature by pulsed DC magnetron sputtering. By the control of introducing hydrogen to argon atmosphere, the resistivity of ITO films was obtained at 5.27 × 10<SUP>?4</SUP> Ω · ㎝ without substrate heating in comparison with 2.65 × 10<SUP>?3</SUP> Ω · ㎝ under hydrogen free condition. ITO film synthesized at Ar condition was changed from amorphous to crystalline. These result from the enhancement of electron temperature in Ar + H₂ plasma, which induces the increase of ionization of target materials and argon. The dominant increase of ions such as In Ⅱ and O Ⅱ and neutral Sn Ⅰ was monitored by optical emission spectroscopy (OES). Thermal energy required for the crystalline film formation is compensated by kinetic energy transfer through ion bombardments to substrate.
#ITO #Hydrogen #Low temperature #Pulsed magnetron sputtering

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

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