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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.11
- 수록면
- 73 - 78 (6page)
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The InP thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are widely used to
optoelectronic devices such as laser diodes, wave-guides and optical modulators. Effects of various
parameters controlling film growth rate such as gas-phase reaction rate constant, surface reaction rate constant
and mass diffusivity are numerically investigated. Results show that at the upstream region where film growth
rate increases with the flow direction, diffusion including thermal diffusion plays an important role. At the
downstream region where the growth rate decreases with flow direction, film deposition mechanism is
revealed as a mass-transport limited. Mass transport characteristics are also studied using systematic analyses.
optoelectronic devices such as laser diodes, wave-guides and optical modulators. Effects of various
parameters controlling film growth rate such as gas-phase reaction rate constant, surface reaction rate constant
and mass diffusivity are numerically investigated. Results show that at the upstream region where film growth
rate increases with the flow direction, diffusion including thermal diffusion plays an important role. At the
downstream region where the growth rate decreases with flow direction, film deposition mechanism is
revealed as a mass-transport limited. Mass transport characteristics are also studied using systematic analyses.
목차
Abstract
1.서론
2.해석
3.결과 및 토의
4.결론
후기
참고문헌
참고문헌 (0)
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