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이영욱 (서울대학교) 김선재 (서울대학교) 이수연 (서울대학교) 한민구 (서울대학교) 이우근 (삼성전자) 윤갑수 (삼성전자)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2010 대한전기학회 제41회 하계학술대회
발행연도
2010.7
수록면
1,287 - 1,288 (2page)

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에치 스토퍼 구조로 비정질 IGZO 산화물 반도체 TFT를 제작하였다. 싱글게이트 구조일 때 약 7.7㎠/Vs 의 이동도를 보인 반면에, 더블게이트 구조로 제작하면 12.7㎠/Vs의 이동도를 나타내 이동도의 상승을 확인할 수 있었다. 더블게이트 구조에서의 이동도 향상 현상은 실제 캐리어(전자)의 이동도가 향상 ... 전체 초록 보기

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