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논문 기본 정보

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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.2
발행연도
2006.6
수록면
68 - 73 (6page)

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We propose a damascene gate FinFET with Si nanocrystals implemented on bulk silicon wafer for low voltage flash memory device. The use of optimized SRON (Silicon-Rich Oxynitride) process allows a high degree of control of the Si excess in the oxide. The FinFET with Si nanocrystals shows high program/erase (P/E) speed, large V<SUB>TH</SUB> shifts over 2.5V at 12V/10㎲ for program and -12V/1㎳ for erase, good retention time, and acceptable endurance characteristics. Si nanocrystal memory with damascene gate FinFET is a solution of gate stack and voltage scaling for future generations of flash memory device.
#FinFET #Si-nanocrystal #SRON(Si-Rich Oxynitride) #flash memory device

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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