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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.8
- 수록면
- 11 - 16 (6page)
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본 논문에서는 먼저 RTP(Rapid Thermal Processor) 장치를 스트레스 측정에 용이한 구조로 제작하고 PC에서 통합 공정관리 시스템을 설계하였다. 다음으로는 Large deformation 이론을 바탕으로 반도체 웨이퍼 표면의 변형검사를 위한 레이져 인터페로미터리를 구성하였다. 궁극적으로 이러한 레이져장치로부터 웨이퍼 표면의 영상을 추출하고 세선화, 블록화 그리고 스트레스 분포도의 순서로 영상처리 하여 스트레스로 인한 웨이퍼 표면의 변형을 검사하였다. 실험을 하기 위해 변형이 이루어지도록 웨이퍼의 후면을 1㎜정도 갈아낸 후 약 1000도에서 3∼4회 열처리를 수행하였으며, 열처리를 가한 영상과 가하지 않은 영상을 통하여 웨이퍼 열처리 후 심각한 변형이 이루어졌음을 알 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (7)
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1. [학술지(정기간행물)] - T.-S. Park / 2003 / Measurement of Full-Field Curvature and Geometrical Instability of Thin Film-Substrate Systems Through CGS Interferometry / J. Mech. Phys. Solids
2. [학술지(정기간행물)] - A. J. Rosakis / 1998 / Full field measurements of curvature using coherent gradient sensing: Application to thin film characterization / Thin Solid Films 325 : 42 ~ 54
3. [학술지(정기간행물)] - H. V. Tippur / 2004 / Simultaneous and real-time measurement of slope and curvature fringes in thin structures using shearing interferometry / Optical Engineering 43 (12)
4. [학술지(정기간행물)] - Finot, M. / 1997 / Large deformation and geometric instability of substrates with thin-film deposits / J. Appl. Phys 81 : 3457 ~ 3464
5. [학술대회논문] - A. T. Fiory / 2000 / Methods in Rapid Thermal Annealing Proceedings of RTP 2000 / Eighth International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors : 15 ~ 25
2. [학술지(정기간행물)] - A. J. Rosakis / 1998 / Full field measurements of curvature using coherent gradient sensing: Application to thin film characterization / Thin Solid Films 325 : 42 ~ 54
3. [학술지(정기간행물)] - H. V. Tippur / 2004 / Simultaneous and real-time measurement of slope and curvature fringes in thin structures using shearing interferometry / Optical Engineering 43 (12)
4. [학술지(정기간행물)] - Finot, M. / 1997 / Large deformation and geometric instability of substrates with thin-film deposits / J. Appl. Phys 81 : 3457 ~ 3464
5. [학술대회논문] - A. T. Fiory / 2000 / Methods in Rapid Thermal Annealing Proceedings of RTP 2000 / Eighth International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors : 15 ~ 25
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