메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2009년 SoC학술대회
발행연도
2009.5
수록면
324 - 327 (4page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
본 논문에서는 gate level statistical modeling시 local random variation이 delay와 leakage에 얼마나 영향을 주는지를 분석 하였다. Local variation을 고려하지 않을 경우, 각 gate의 delay는 최대 20%정도의 standard deviation error를, leakage는 최대 10%정도의 mean error와 3배 정도의 standard deviation error를 보였다. 이 실험 결과는 delay와 leakage 모두 local variation의 영향을 고려하지 않으면 예측에 큰 문제가 생길 수 있음을 나타낸다. 하지만 이들 local variation을 현재 gate level 분석에 고려하기는 어려운 점이 많으며 local variation을 고려한 새로운 statistical modeling 방법의 개발이 요구된다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Background: gate-level statistical modeling for statistical analysis
Ⅲ. EXPERIMENTAL RESULT
Ⅳ. 결론
Acknowledgement
참고문헌

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-018601604