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저자정보
Janghyuk Shin (Sogang University) Juho Kim (Sogang University) Naeun Jang (Sogang University) Eunsuk Park (Sogang University) Yangmin Choi (Sogang University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2009 Conference
발행연도
2009.11
수록면
577 - 580 (4page)

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Conventional cell characterization does not consider Multiple Input Switching (MIS). Since the impact of MIS on gate delay variation is large, it is not possible to predict the accurate gate delay with the conventional cell characterization. We observed maximum 46% difference in gate delay due to MIS. In this paper, we propose a gate delay model considering the delay variation caused by temporal proximity of MIS. The proposed model calculates the delay variation using the Radial Basis Function (RBF). The experimental results show that the proposed method can more accurately predict gate delay when MIS occurs.
#delay model #multiple input switching #temporal proximity #cell characterization

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. MODELING THE GATE DELAY
III. EXPERIMENTAL RESULTS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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