0.1 ㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화

한민; 김삼동; 이진구

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자료유형: 학술저널

저자정보: 한민 김삼동 이진구

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제3호

발행연도: 2005.3

수록면: 1 - 8 (8page)

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본 논문에서는 0.1 ㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 MHEMT의 DC 및 RF 특성을 상용 시뮬레이터인 ISE-TCAD tool을 이용하여 결과를 고찰 하였다. 이후 MHEMT의 게이트 길이와, 소스-드레인 간격 및 채널 두께를 변화시켜 가면서 소자의 수평, 수직 scaling효과가 소자 특성에 미치는 영향을 비교하였으며, 게이트 길이 (Lg)가 0.1 ㎛ 이하로 감소함에 따라 gm,max가 같이 감소하는 현상에 대해서 논의해 보았다. 또한 이 현상을 가지고 소자의 횡적, 종적 파라미터의 scaling 효과에 대한 모델을 제시했다.

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[학술지(정기간행물)] - M. Wojtowicz / 1994. / 0.10㎛ graded InGaAs channel InP HEMT with 305 ㎓ fT and 340 ㎓ fmax 15 : 477 ~

[학술지(정기간행물)] - A. Endoh / May,2000. / High fT 50-nm-gate lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMTs : 87 ~

[학술지(정기간행물)] - P. M. Smith / 1995. / W-band high efficiency InP-based power HEMT with 600 ㎓ fmax 5 : 230 ~

[학술지(정기간행물)] - J. Y.Shim / 2002. / DC and Microwave Characteristics of 0.2-㎛ T-Gate Double-Doped Metamorphic InAlAs/InGaAs/GaAs HEMTs Recessed with Succinic Acid/H2O2 41 : 528 ~

[학술지(정기간행물)] - D. H. Kim / 2002 / High performance 0.2㎛ quasi-enhancement mode In0.35AlAs/In0.35GaAs Metamorphic HEMTs with a InGaAs channel composition 41 : 1036 ~ 1040

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