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임수경 (삼성전자공과대학교) 김용덕 (삼성전자) 김찬경 (삼성전자공과대학교) 김재순 (삼성전자) 임상순 (삼성전자공과대학교) 장권영 (삼성전자) 김종엽 (삼성전자)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2008년도 SOC 학술대회
발행연도
2008.5
수록면
188 - 191 (4page)

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Back-lap 공정은 fab 공정 이후 행해지는 공정으로써 wafer 뒷면의 불필요한 막을 제거하고 필요 이상으로 두꺼운 뒷면을 깎아 내어 저항을 줄이고 열전도율을 향상시키는 공정이다. 다이아몬드 wheel로 연마시키는 작업을 위해서 wafer 앞면에 tape를 접착하여 연마 후 조립 공정으로 연삭하여 wafer를 다음 단계로 보내는데, wafer의 두께가 점차 얇아지면서, 품질 불량율 급등 및 설비 진행 제약 발생으로 인해 생산성 저하가 급증하는 문제점이 발생되었다. 이를 기존의 방법으로 개선하는데 한계에 부딪혀, 이에 따른 개선 대안으로써 grinding tape 두께 상승 및 재질을 변경하여 자재 품질을 개발하는 연구를 하였다. 이로 인해 wafer broken율을 줄임으로써 높은 생산성 향상 효과를 거둘 수 있을 것으로 판단하여 본 연구를 논문의 주제로 선정하게 되었다.
#Back-lap #tape #EDS(electrical die sorting) #WSP(wafer-level processed stack package)

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌

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