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A Research on the Anisotropic Etching of Tungsten-Nitride for X-Ray Mask
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1998 .01
Anisotropic Etching of Tungsten with ICP System
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
ICP 플라즈마를 이용한 W$N_{x}$의 이방성 식각
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
SF6 플라즈마를 이용한 텅스텐 박막의 반응성 이온식각에 관한 실험적 연구 ( Experimental Study of Reactive Ion Etching of Tungsten Films Using SF6 Plasma )
전자공학회논문지-A
1993 .07
저진공 축전결합형 SF, SF/O, SF/CH 플라즈마를 이용한 아크릴의 반응성 건식 식각
한국재료학회지
2009 .01
유도 결합형 SF₆플라즈마 특성에 관한 연구
한국조명·전기설비학회 학술대회논문집
1999 .11
MECHANISM OF ETCHING OF SILICON NITRIDE IN CF4-O2 PLASMA
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
에칭 프로세스를 위한 SF₆/O₂ 플라즈마 특성에 관한연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
Estimation of tungsten tip by electrochemical etching
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2012 .10
TYNGSTEN ETCHBACK PROCESS FOR SUB-HALF MICRON CONTACTS USING HELICON HIGH DENSITY PLASMA
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
포스트 플라즈마를 이용한 질화의 질화층 형성에 미치는 전처리의 영향에 대한 연구
열처리공학회지
2005 .01
SF6, C₄F8, O₂ 가스 변화에 따른 실리콘 식각율과 식각 형태 개선
전기전자재료학회논문지
2008 .01
Dry etching of Polymethyl methacrylate (PMMA) in capacitively coupled $SF_6,\;SF_6/Ar\;and\;SF_6/CH_4$ plasmas
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
플라즈마 증착된 Tungsten Nitride barrier layer에 의한 Al spiking 억제효과
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
플라즈마 증착된 Tungsten Nitride Barrier Layer에 의한 Al Spiking 억제효과 ( Suppression of Al Spiking by the Plasma Deposited Tungsten Nitride Barrier Layer )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
SF₆/N₂ 혼합기체의 대기압 플라즈마 특성 분석
전기학회논문지 P
2009 .12
Controllable Etching of 2-Dimentional Hexagonal Boron Nitride by Using Oxygen Capacitively Coupled Plasma
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .05
Effects of Feed Gas Chemistry on Sf6 Based Tungsten Etching in a Helicon Etcher
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Plasma etching characteristics of hexagonal boron nitride for two dimensional electron devices
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
Effects of N₂addition on chemical etching of silicon nitride layers in F₂/Ar/N₂remote plasma processing
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2007 .04
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