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이용수
1992
Abstract
1. 서론
2. 실험 및 측정
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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a-Si : H / a-SiN : H 초격자 구조를 이용한 박막트랜지스터의 제조 ( Fabrication of Thin Film Transistors with a-Si : H / a-SiN : H Superlattices )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
a-Si:H/a-SiN:H 초격자구조의 제작 및 특성 ( Fabrication of a-Si:H/a-SiN:H Superlattices and Its Properties )
전자공학회논문지-A
1992 .06
SiN 박막을 이용한 Si Nanodot의 형성
공업화학
2005 .01
Micro Gas Sensor의 Membrane용 $SiN_x$막과 $SiN_x/SiO_x/SiN_x$막의 응력과 굴절율
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
a-Si : H/a-SiN : H 구조 MODFET의 조성 및 그 특성 ( Fabrication of MODFET with a-Si : H/a-SiN : H Structure and Its Characteristics )
전자공학회논문지-A
1993 .06
Silicide-Enhanced Rapid Thermal Annealing을 이용한 다결정 Si 박막의 제조 및 다결정 Si 박막 트랜지스터에의 응용
한국재료학회지
2014 .01
Laser CVD SiN막에 의한 SiN-Si계 TFD 특성의 DLTS에 의한 해석
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
자연 산화막과 엑시머 레이저를 이용한 poly-Si/a-Si 이중 박막 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전기학회논문지 C
2000 .01
PECVD에 의한 μc-Si : H 박막트랜지스터의 제조 ( Fabrication of μc-Si : H TFTs by PECVD )
전자공학회논문지-A
1996 .05
이중 금속 측면 결정화를 이용한 400。C 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작 및 그 특성에 관한 연구 ( Fabrication and characteristics of poly - Si thin film transistors by double - metal induced lateral crystallization at 400˚C )
전자공학회논문지-D
1997 .04
비정질 실리콘 박막트랜지스터 캐패시턴스 특성의 수학적 모델분석
전기학회논문지
1993 .06
선택적 결정화를 통한 채널에 비정질 영역을 갖는 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전기학회논문지
1997 .11
박막트랜지스터를 이용한 Inverter 제작 ( The Fabrication of Inverter with thin Film Transistor )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
Low voltage stability of a-Si:H TFTs with $SiN_x$ dielectric films prepared by PECVD using Taguchi methods
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2005 .01
Micro Gas Sensor의 Membrane용 ${SiN}_{x}$막과 ${SiN}_{x}/\textrm{SiO}_{x}/{SiN}_{x}$막의 응력과 굴절율
한국재료학회지
1997 .01
다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 수소화 효과
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
鋼纖維補强콘크리트의 力學的 特性 및 製造에 관한 研究
대한토목학회 학술발표회 개요집
1985 .10
Hot-pressing을 통한 Si-Zn-O 박막 트랜지스터의 소자 특성 향상
대한전기학회 학술대회 논문집
2013 .10
Importance of Gate $SiN_x$ Properties Related to a-Si:H TFT Instability
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2006 .01
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