A Recessed-channel Tunnel Field-Effect Transistor (RTFET) with the Asymmetric Source and Drain

Hui Tae Kwon; Sang Wan Kim; Won Joo Lee; Dae Hoon Wee; Yoon Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Hui Tae Kwon (Pusan National University) Sang Wan Kim (University of California) Won Joo Lee (Pusan National University) Dae Hoon Wee (Pusan National University) Yoon Kim (Pusan National University)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.5

발행연도: 2016.10

수록면: 635 - 640 (6page)

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Tunnel field-effect transistor (TFET) is a promising candidate for the next-generation electron device. However, technical issues remain for their practical application: poor current drivability, short-channel effect and ambipolar behavior. We propose herein a novel recessed-channel TFET (RTFET) with the asymmetric source and drain. The specific design parameters are determined by technology computer-aided design (TCAD) simulation for high on-current and low S. The designed RTFET provides ~446× higher on-current than a conventional planar TFET. And, its average value of the S is 63 mV/dec.

#Tunnel filed-effect transistor (TFET) #ambipolar #recessed-channel TFET

참고문헌 (9)

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[학술대회논문] - Q. Huang / 2014 / Comprehensive performance reassessment of TFETs with a novel design by gate and source engineering from device/circuit perspective / Proc. IEDM : 13.3.1 ~ 13.3.4

[학술지(정기간행물)] - Sang Wan Kim / 2012 / Design Guideline of Si-Based L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors / Jpn. J. Appl. Phys 51 (6S) : 06FE09-1 ~ 06FE09-4

[학술지(정기간행물)] - Sang Wan Kim / 2015 / Demonstration of L-shaped Tunnel Field-Effect Transistors / Electron Devices, IEEE Transactions on PP (99)

[학술지(정기간행물)] - Woo Young Choi / 2007 / Tunneling field-effect transistors(TFETs)with subthreshold swing(S)less than 60 mV/dec / Electron Device Letters, IEEE 28 (8) : 743 ~ 745

[학술지(정기간행물)] - Rakhi Narang / 2012 / Assessment of Ambipolar Behavior of a Tunnel FET and Influence of Structural Modifications / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 12 (4) : 482 ~ 491

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