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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Yun Seop Yu (Hankyong National University) Faraz Najam (National Disability Insurance Agency)
저널정보
한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2020 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.12 No.1
발행연도
2021.2
수록면
216 - 219 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2021

Compact Capacitance Model of L-Shape Tunnel Field-Effect Transistors for Circuit Simulation
Yun Seop Yu ,  Fa ,  az Najam Journal of information and communication convergence engineering 2021.12 학술저널
Compact Capacitance Model of L-Shaped Tunneling Field-effect Transistors
Yun Seop Yu ,  Fa ,  az Najam INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2021.02 학술대회자료

2017

Compact Current Model of Single-Gate/Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistors
Yun Seop Yu ,  Fa ,  az Najam Journal of Electrical Engineering & Technology 2017.09 학술저널
Capacitance model of Single-Gate Tunneling Field-Effect Transistors for Circuit Simulation
Yun Seop Yu ,  Hyung-Kun Pa ,  k INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017.06 학술대회자료

초록· 키워드

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A capacitance model of L-shaped tunneling field-effect transistors (L-TFETs) is firstly proposed. The previously-developed surface potential and current models of L-FETs are used for the capacitance model. Simulation results of the proposed L-TFET capacitance model are compared with those from a technology computer-aided-design (TCAD) device simulator, which are verified with good agreement in all operational bias.
#tunneling field-effect transistor (TFET) #L-shaped TFET (L-TFET) #bandto-band tunneling (BTBT) #circuit simulation #capacitance

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. MODEL DEVELOPMENT
III. MODEL VALIDATION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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