CVD/ALD 장비를 이용한 a-Si 및 SiOx 박막의 특성

주재홍; 강상준; 찬타솜바스 시사바이; 천홍빈; 김광호

doi:10.14801/jkiit.2016.14.11.1

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자료유형: 학술저널

저자정보: 주재홍 (청주대학교) 강상준 찬타솜바스 시사바이 (청주대학교) 천홍빈 (청주대학교) 김광호 (청주대학교)

저널정보: 한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제14권 제11호(JKIIT, Vol.14, No.11)

발행연도: 2016.11

수록면: 1 - 8 (8page)

DOI: 10.14801/jkiit.2016.14.11.1

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CVD/ALD 장비를 이용한 얇은 a-Si 및 SiOx 박막을 제작하고 특성을 확인하였다. 반응소스의 자가반응(Self Reaction)이 일어나는 포화점을 확인하기 위하여 DIPAS 소스와 각 반응가스인 산소와 아르곤의 주입시간에 따른 증착 두께 및 굴절률 변화를 확인하였으며, 공정온도에 따른 ALD Window 구간 및 RF 전력 변화에 따른 차이를 확인하였다. 또한 화학적 조성비 및 전기적 특성을 평가하였으며, a-Si 증착은 기판온도 및 RF 전력 변화에 따른 증착 속도를 확인하였다. MOS 커패시터를 제작하여 평가한 SiOx 박막의 유전상수(εox)는 약 5.22였으며, 기판온도 400~700℃에서 증착시킨 실리콘/석영 구조로부터 XRD 측정한 결과 모든 경우에 실리콘 박막의 결정성은 비정질이었다.

#CVD #ALD #a-Si #ALD window #self reaction #MOS capacitor #XRD #XPS #DIPAS

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[학술지(정기간행물)] - Catherine Marichy / 2012 / Atomic Layer Deposition of Nanostruructured Materials for enerfy and Environmental Applications / Adv. Mater : 1017 ~ 1032

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