메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
주재홍 (청주대학교) 강상준 찬타솜바스 시사바이 (청주대학교) 천홍빈 (청주대학교) 김광호 (청주대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제14권 제11호(JKIIT, Vol.14, No.11)
발행연도
2016.11
수록면
1 - 8 (8page)
DOI
10.14801/jkiit.2016.14.11.1

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
CVD/ALD 장비를 이용한 얇은 a-Si 및 SiOx 박막을 제작하고 특성을 확인하였다. 반응소스의 자가반응(Self Reaction)이 일어나는 포화점을 확인하기 위하여 DIPAS 소스와 각 반응가스인 산소와 아르곤의 주입시간에 따른 증착 두께 및 굴절률 변화를 확인하였으며, 공정온도에 따른 ALD Window 구간 및 RF 전력 변화에 따른 차이를 확인하였다. 또한 화학적 조성비 및 전기적 특성을 평가하였으며, a-Si 증착은 기판온도 및 RF 전력 변화에 따른 증착 속도를 확인하였다. MOS 커패시터를 제작하여 평가한 SiOx 박막의 유전상수(εox)는 약 5.22였으며, 기판온도 400~700℃에서 증착시킨 실리콘/석영 구조로부터 XRD 측정한 결과 모든 경우에 실리콘 박막의 결정성은 비정질이었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (8)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2017-004-001568159