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자료유형
학술저널
저자정보
권기청 (광운대학교 전자물리학과) 조태훈 (광운대학교 전자물리학과) 최진우 (광운대학교 전자물리학과) 송세영 (나인테크) 설제윤 (나인테크) 이준신 (성균관대학교 정보통신대학)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제15권 제4호
발행연도
2016.1
수록면
33 - 35 (3page)

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In this study, a new plasma source was used in the ALD process. Line type plasma sources were analyzed by electric and magnetic field simulation. And the results were compared with plasma density and electron temperature measurement results. As a result, the results of the computer simulation and the diagnosis results of plasma density and electron temperature showed similar tendency. At this time, the plasma uniformity is 95.6 %. $Al_2O_3$ thin film was coated on 6 inch Si-wafer, using this plasma source. The uniformity of the thin film was more than 98% and the thin film growth rate was 0.13 nm/cycle.
#ALD #Simulation #Deposition #Line plasma source #Wise probe

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참고문헌 (8)

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정주영 / 2015 / 나노미터 MOSFET비휘발성 메모리 소자 구조의 탐색 / 반도체디스플레이기술학회지 14(2):41~45 dbpia AHN, Kie / 2004 / Hybrid ALD-CVD of PrXOY/ZrO2 Films as Gate Dielectrics. U.S. Patent Application No 11/010 :766 google schola Fortunato, E. / 2012 / Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors : A Review of Recent Advances / Advanced materials 24(22):2945~2986 google schola Sandhu, Gurtej / 2002 / ALD method to improve surface coverage. U.S. Patent No. 6,355,561 google schola Cheol Ju Hwang / 2012 / ALD deposition technology in advanced semiconductors / KPS 21(6):37~41 google schola

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