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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제5호
발행연도
2010.1
수록면
358 - 363 (6page)

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The polishing pad is important element for polishing characteristic such as material removal rate(MRR) and within wafer non-uniformity(WIWNU) in the chemical mechanical planarization(CMP). The result of the viscoelasticity measurement shows that 1st elastic modulus is increased and 2nd elastic modulus is decreased when the top pad is thickened. The finite element analysis(FEA) was conducted to predict characteristic of polishing behavior according to the pad thickness. The result of polishing experiment was similar with the FEA, and it shows that the 1st elastic modulus affects instantaneous deformation of pad related to MRR. And the 2nd elastic modulus has an effect on WIWNU due to the viscoelasticity deformation of pad.
#Chemical mechanical planarization #CMP) #Pad thickness #Viscoelasticity #Material removal rate #MRR) #Within wafer non-uniformiy #WIWNU)

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A. Bastawros / 2002 / / J. Electro. Mater. 31 : 1022 ~ google schola C. Srinivasa-Murthy / 1997 / / Thin Solid Films 308 : 535 ~ google schola C.-W. Liu / 1996 / / J. Electrochem. Soc. 143 : 716 ~ google schola D. Wang / 1997 / / J. Electrochem. Soc. 144 : 1121 ~ google schola F. Preston / 1927 / / Glass Tech. 11 : 214 ~ google schola

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