A Study of the Optimal Process Conditions of AZO:H2  Thin Film for Maximization of the Transmittance of a  Blue GaN Light-Emitting Diode with a Wavelength of  470 nm

Seung-Taek Hwang; Choon-Bae Park; 황근창

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자료유형: 학술저널

저자정보: Seung-Taek Hwang Choon-Bae Park 황근창

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제11권 제6호

발행연도: 2010.1

수록면: 279 - 284 (6page)

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This study has been carried out to determine the optimal process conditions of AZO:H2 thin films for the maximization of the transmittance of a blue GaN light-emitting diode (LED) with a wavelength of 470 nm. The Al-doped zinc oxide (AZO):H2 thin films were deposited on a sapphire substrate by radio-frequency magnetron sputtering system with varying substrate temperatures, working pressures and annealing temperatures temperature, working pressure and annealing imposed on a AZO (2wt% Al2O3) ceramic target. The effect of these variables was investigated in order to improve the light extraction efficiency of the LED. As a result, the (002)-oriented peak was found in all the AZO:H2 thin films. The lowest resistivity and the best transmittance at a wavelength of 470 nm was found to be 4.774 × 10-4 Ωcm and 92% at a substrate temperature of 500°C, working pressure of 7 mTorr and annealing temperature of 400°C. The transmittance of the AZO:H2 thin film for the Blue GaN LED was improved by approximately 13% relative to that of a ITO thin film (T = 79%).

#Optimal process conditions #Al-doped zinc oxide: H2 film #Blue GaN light-emitting diode #470 nm Wavelength

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C. C. Wang / 2006 / / Phys. Rev. B 74 : 024106 ~

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E. F. Schubert / 2003 / Light-Emitting Diodes / Cambridge University Press : 171 ~

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