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In this study, a neutral beam was formed using a low angle forward reflection of the ion beam and its degree of neutralization at different reflection angles was investigated. When the ion beam was reflected by a reflector at the angles lower than 15°, most of the ions reflected were neutralized and the lower reflector angle showed the higher degree of neutralization. Photoresist(PR) and SiO₂ etchings were carried out with the neutralized oxygen and fluorine radical fluxes, respectively, and highly anisotropic etch profiles could be obtained suggesting the formation of highly directional neutral flux.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Experiment

3. Results and Discussion

4. Conclusions

Acknowledgments

References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001258865