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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제1호
발행연도
1992.2
수록면
183 - 189 (7page)

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텅스텐 실리사이드를 축적전극으로 하는 얇은 N/O(SiO₂/Si₃N₄) 구조막의 특성을 다결정 실리콘의 경우와 비교 평가하였다. 누설전류 및 항복전압이 향상되었고 축적용량은 감소하였다. 용량 감소의 원인중의 하나는 텡스텐 실리사이드 상의 산화막 성장율이 다결정 실리콘 위에서 보다 빠른 것이고 둘째는 열처리에 따라 다결정 실리콘 내 도판트 불순물이 텅스텐 실리사이드를 통하여 외향확산하여 다결정 실리콘 내에 공핍층을 형성하게 되고 공핍층 용량으로 인하여 축적용량이 감소하게 된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과 및 검토

4. 결론

참고문헌

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