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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제2호
발행연도
1998.5
수록면
155 - 160 (6page)

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256M DRAM급에 해당하는 0.25 ㎛의 회로선 폭을 가공하기 위해 Arc layer & DUV resist 사용이 필수적이다. Poly-Si 식각시 Arc layer 적용여부 및 resist 종류에 따른 차이를 TCP-9408 etcher(Lam Research Co.)에서 Cl₂/O₂, Cl₂/N₂, Cl₂/HBr 3가지 gas chemistry를 변화시키며 조사하였다. 동일한 식각 조건에서 DUV resist 사용의 경우에 I-line resist에 비해 식각 profile이 positive 하고 CD gain도 크게 나왔다. 이것은 resist 손실에 의한 polymer 생성의 증가가 식각시 측벽 보호막을 강화시키기 때문이다. Arc layer 적용의 경우 Arc layer 식각시 생기는 fluorine계 polymer가 poly-Si 식각시 mask 역할을 하므로 CD gain이 증가하는 것으로 나타났다. Gas chemistry에 의한 영향은 Cl₂/O₂의 경우가 식각시 polymer 형성을 촉진시켜 positive profile 및 CD gain을 초래하였다. Cl₂/HBr의 경우에는 profile이 vertical 하였고 CD gain도 거의 없었다. 또한 dense pattern과 isolated pattern 사이의 profile 및 CD 차이도 가장 작게 나타났다. HBr gas 사용이 식각시 pattern density에 따른 측벽 보호막 형성의 불 균일성을 최소화 시켜 양호한 특성을 보여주었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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