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저자정보
Li, Juan (Institute of Photo-electronics, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University, Key Laboratory of Opto-electronic Inform) Ying, Yao (Institute of Photo-electronics, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University, Key Laboratory of Opto-electronic Infor) Meng, Zhiguo (Institute of Photo-electronics, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University, Key Laboratory of Opto-electronic In) Chunya, Wu (Institute of Photo-electronics, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nank) Xiong, Shaozhen Kwok, Hoi-Sing
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
1,604 - 1,607 (4page)

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YAG laser crystallization of Si-based thin film deposited on plastic substrate has been studied. The Si-based thin films as crystallization precursor are with varied hydrogen (H) content. The effect of the H content on the crystallinity of the resulted poly-Si film has been investigated. The experimental results of the poly-Si crystallized by doublefrequency YAG laser shows that the initial dehydrogenation process could be left out if ${\mu}c$-Si was adopted as the crystallization precursor. The YAG laser annealing condition on plastic substrate and the crystallization results have been discussed in the paper.
#Poly silicon #2${omega}$YAG laser crystallization #H content #plastic substrate

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