The Study of a-Si Film Crystallization using an XeCl Laser Annealing on the Plastic Substrate

Kim, Do-Young; Suh, Chang-Ki; Shim, Myung-Suk; Kim, Chi-Hyung; Yi, Jun-Sin; Lee, Min-Chul; Han, Min-Gu

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저자정보: Kim, Do-Young (New materials Lab.[BK21 lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Suh, Chang-Ki (New materials Lab.[BK21 lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Shim, Myung-Suk (New materials Lab.[BK21 lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Kim, Chi-Hyung (New materials Lab.[BK21 lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Yi, Jun-Sin (New materials Lab.[BK21 lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) Lee, Min-Chul (School of Electrical Engineering, Seoul National University) Han, Min-Gu (School of Electrical Engineering, Seoul National University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2003.1

수록면: 634 - 638 (5page)

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We reported the a-Si crystallization using a XeCl excimer laser annealing on the plastic substrate. The poly-Si film is able to grow in the low temperature and light substrate like a plastic. For the preparation of sample, substrate is cleaned by organic liquids. The film of $CeO_{2}$ layer as the buffer layer was grown by sputtering methods. After a-Si film deposition using ICPCVD, the film was crystallized by XeCl excimer laser. In this paper, we present the crystallization properties of a-Si on the plastic substrate

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