COMPARISON OF CHARACTERISTICS OF THE CVD Cu FIKM WTIH THOSE OF THE ELECTROLESS PLATEX Cu FILM

Kwon, Youngjae; Lee, Chongmu

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자료유형: 학술저널

저자정보: Kwon, Youngjae (Department of Metallurgical Engineering, INHA University) Lee, Chongmu (Department of Metallurgical Engineering, INHA University)

저널정보: 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호

발행연도: 1995.1

수록면: 843 - 849 (7page)

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Cu films were depostied on TiN by CVD and electroless-plating, respectively and their physical properties like depostion mechanism, morphology, resistivity, integrity for various deposition conditions scuh as deposition temperature and deposition time were investigated. CVD Cu films tend to grow in the island growith mode, while electroless-plated Cu films in the layer-by-layer plus island growth mode. In Cu CVD the reaction mechanism changes from surface reaction limited process to mass transport limited process at about $350^{\circ}C$ with increasing the deposition temperature, while in Cu electroless-plating the reaction mechanism does not change in the temperature range of $60-80^{\circ}C$. It has been found that the electroless-plating technique provides higher deposition rate and denser Cu films with lower resistivity thean the CVD technique. Also the CVD-Cu film post-heat treated in $H_2$ is smoother and more continuous than that in Ar.

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Kwon, Youngjae

소속기관 Department of Metallurgical Engineering, INHA University

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

논문수 1 이용수 0

Lee, Chongmu

소속기관 Department of Metallurgical Engineering, INHA University

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

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