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자료유형
학술저널
저자정보
김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 김기영 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 김병국 (한국과학기술원 재료연구부)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제12권 제3호
발행연도
2001.1
수록면
166 - 170 (5page)

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실리콘 기판에 도핑되어 있는 도판트는 종류에 따라 코발트와 실리콘 기판과의 반응에 영향을 준다. 인은 붕소나 비소에 비해 코발트와 실리콘과의 반응을 억제하여 저온 열처리 동안에 CoSi₂대신에 CoSi가 형성되도록 한다. CoSi층 내에서의 확산원소는 Si으로, CoSi 층은 Co/CoSi 계면에서 성장하며 반응에 참여하는Si 소모에 의해 생기는 기판의 빈 공간을 태우기 위해 Si 기판쪽으로 이동한다. 게이트 측벽에서는 접촉되어 있는 게이트 산화막과의 결합에 의해 CoSi층의 이동이 억제된다. 따라서 기판의 빈 공간을 태우지 못하게 되어 게이트 측벽 아래에 기공이 형성된다.

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