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(100) 실리콘 기판에 대해 깊온 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의 가장자리에 존재하는 욜균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에 의한 것임을 판찰할 수 있었다.
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대한전자공학회 학술대회
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대한전자공학회 학술대회
1985 .01
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Optimized Process Analysis of SiO₂ etch using CFD Simulation
대한전자공학회 학술대회
2017 .01
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Anisotropic Etching Property on Porous Silicon Formation
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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대한전자공학회 학술대회
1996 .01
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플라즈마 식각방법에 의한 단결정 실리콘의 Two-Step 식각특성 ( Two-Step Etching Characteristics of Single-Si by the Plasma Etching Technique )
전자공학회논문지
1987 .01
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대한전자공학회 학술대회
1985 .01
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SF6, C₄F8, O₂ 가스 변화에 따른 실리콘 식각율과 식각 형태 개선
전기전자재료학회논문지
2008 .01
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플라즈마 식각 공정을 위한 3차원 식각 시뮬레이터 개발
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
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플라즈마 식각 공정을 위한 3차원 식각 시뮬레이터 개발 ( Development of Three-Dimensional Etching Simulator for a Plasma Etching Process )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
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범용성 유도결합 플라즈마 식각장비를 이용한 깊은 실리콘 식각
전기전자재료학회논문지
2004 .01
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박형 웨이퍼에 적용가능한 건식 및 습식 식각에 대한 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2018 .11
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