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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
오 데레사 (청주대학교 반도체공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제17권 제2호
발행연도
2018.1
수록면
32 - 35 (4page)

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The current voltage characteristics of ZTO/SiOC were researched, and the conductivities of the ZTO films as a channel material were analyzed. The current of SiOC was abruptly decreased near 0V, and then the depletion layer was formed by the disappearance of charges in the region form -12V to +12V. SiOC with Schottky contacts near ${\sim}10^{-9}$ A had the cutoff effect of leakage currents. The conductivity of ZTOs prepared on SiOC was improved in the cutoff region of the leakage current of -12V<voltage<+12V. The transfer characteristics of ZTO/SiOC transistor showed the ambipolar phenomenon without the threshold voltage, and the stability under 1V was especially improved.

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