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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 275 - 281 (7page)
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AlN는 넓은 밴드 갭 및 높은 열전도율로 인해 넓은 밴드 갭 및 고주파 전자 소자로 유망한 재료이다. AlN은 전력 반도체의 재료로서 더 큰 항복전압과 고전압에서의 더 작은 특성저항의 장점을 가지고 있다. 높은 전도도를 갖는 p형AlN 에피층의 성장은 AlN 기반 응용 제품 제조에 중요하다. 본 논문에서는 Mg이 도핑된 AlN 에피층을 혼합 소스 HVPE 에 의해 성장하였다. Al 및 Mg 혼합 금속은 Mg-doped AlN 에피 층의 성장을 위한 소스 물질로 사용하였다. AlN 내의 Mg 농도는 혼합 소스에서 Mg 첨가 질량의 양을 조절함으로써 제어되었다. 다양한 Mg 농도를 갖는 AlN 에피 층의 표면 형태및 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. Mg-doped AlN 에피 층의 XPS 스펙트럼으로 부터 혼합 소스HVPE에 의해 Mg을 AlN 에피 층에 도핑할 수 있음을 증명하였다.
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참고문헌 (23)
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B. R. Bennett / 2005 / Growth of InP high electron mobility transistor structures with Te doping / J. Crystal Growth 278 : 596 ~
G. Dohler / 1983 / n-i-p-i doping superlattices?metastable semiconductors with tunable properties / J. Vac. Sci. Technol. B 1 : 278 ~
H. Amano / 1989 / Ptype conduction in Mg-doped GaN treated with lowenergy electron beam irradiation (LEEBI) / Jpn. J. Appl. Phys. 28 : 2112 ~
H. S. Jeon / 2009 / Characteristics of a Non-Phosphor White LED Grown by Using Mixed-Source HVPE / Journal of the Korean Physical Society 54 (3) : 1262 ~ 1266
J. Xiong / 2014 / Room temperature ferromagnetism in Mg-doped AlN semiconductor films / Mater. Lett. 117 : 276 ~
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H. S. Jeon / 2009 / Characteristics of a Non-Phosphor White LED Grown by Using Mixed-Source HVPE / Journal of the Korean Physical Society 54 (3) : 1262 ~ 1266
J. Xiong / 2014 / Room temperature ferromagnetism in Mg-doped AlN semiconductor films / Mater. Lett. 117 : 276 ~
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