투과전자현미경과 전자후방산란회절을 이용한 AlN의 미세구조 분석

주영준; 박청호; 정주진; 강승민; 류길열; 강성; 김철진

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자료유형: 학술저널

저자정보: 주영준 박청호 정주진 강승민 류길열 강성 김철진

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제25권 제4호

발행연도: 2015.1

수록면: 127 - 134 (8page)

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AlN 단결정은 넓은 밴드갭(6.2 eV), 높은 열 전도도(285W/m · K), 높은 비저항(≥ 10 14 Ω · cm), 그리고 높은 기계적 강도와 같은 장점들 때문에 차세대 반도체 적용을 위한 많은 흥미를 끈다. 벌크 AlN 단결정 또는 박막 템플릿(template) 들은 주로 PVT(Physical vapor transport)법, 플럭스(flux)법, 용액 성장(solution growth)법, 그리고 증기 액상 증착(HVPE)법에의해 성장된다. 단결정이 성장하는 동안에 발생하는 결함들 때문에 상업적으로 어려움을 갖게 된 이후로 결함들 분석을 통한 결정 품질 향상은 필수적이다. 격자결함 밀도(EPD)분석은 AlN 표면에 입자간 방위차와 결함이 존재하고 있는 것을 보여준다. 투과전자현미경(TEM)과 전자후방산란회절(EBSD)분석은 전체적인 결정 퀄리티와 다양한 결함의 종류들을 연구하는데 사용된다. 투과전자현미경(TEM)관찰로 AlN의 형태가 적층 결함, 전위, 이차상 등에 의해 크게 영향을 받는 것을 알수 있었다. 또한 전자후방산란회절(EBSD)분석은 전위의 생성을 유도하는 성장 결함으로서 AlN의 zinc blende 폴리모프(polymorph)가 존재하고 있는 것을 나타내고 있었다.

#AlN #PVT #EPD #EBSD #TEM #Defect

참고문헌 (16)

참고문헌 신청

A. Shatskiy / 2010 / Alumium nitride crystal growth from Al-N system at 6.0 GPa and 1800o C / Crystal Growth & Design 10 : 2563 ~

D. Zhuang / 2004 / Defect-selective etching of bulk AlN single crystals in molten KOH/NaOH eutectic alloy / J. Cryst. Growth 262 : 5 ~

D. Zhung / 2008 / Wet etching of GaN, AlN, and SiC: a review / Mater. Sci. and Eng R48 : 1 ~

F Litimein / 2002 / The electronic structure of wurtzite and zincblende AlN: an ab initio comparative study / New J. Physics 4 : 64.1 ~

F. Peng / 2008 / The phase transition and the elastic and thermodynamic properties of AlN: First principles / Physica B 403 : 4259 ~

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