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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 791 - 795 (5page)
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Y2O3를 1 wt% 소결조제로 첨가한 AlN 소결체의 전기 절연성에 미치는 TiO2의 첨가효과를 연구하였다. 첨가된 TiO2의 일부는 소결과정중 AlN과 반응하여 입계를 따라 균일하게 분포하는 TiN을 형성하였다. 고전계(500 V/mm)에서 시험편의 비저항은 TiO2가 0.2 wt% 첨가됨에 따라 3x1010 Ωcm에서 3.1x1013 Ωcm 으로 약 1000배 급격히 증가하였다. 임피던스 분석을 실시한 결과 TiO2의 첨가는 AlN 입계보다는 입자의 전기전도도를 크게 감소시키는 것으로 나타났다. 따라서 TiO2가 AlN 입자내로 고용되어 Al의 vacancy에 의한 이온전도도를 억제한 것으로 추정되었다. 이러한 Ti이온의 AlN 입자내의 고용이 보다 절연성이 높은 AlN 소결체를 만드는데 기여한 것으로 판단된다.
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